参数资料
型号: IX6R11S3
厂商: IXYS
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: HALF BRIDGE DRIVER 16-SOIC
产品变化通告: Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装: 46
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 120ns
电流 - 峰: 6A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
配用: EV6R11S3-ND - BOARD EVALUATION IX6R11S3
其它名称: Q2251412
IX6R11
175
150
225
200
125
100
Max. t off
Typ. t off
Max. t on
175
150
125
Max. t off
Typ. t off
Max. t on
75
Typ. t on
100
Typ. t on
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature - Degrees C
Fig. 12a. Low side turn-on and turn-off delay times
vs. temperature.
190
Temperature - Degrees C
Fig. 12b. High side turn-on and turn-off times
vs. temperature.
150
180
170
160
Max. t on
140
130
120
150
110
Max. t on
140
130
120
110
Max. t off
Typ. t on
Typ. t off
100
90
80
70
Max. t off
Typ. t off
Typ. t on
100
60
5
10
15
20
25
30
35
10
15
20
25
30
35
V CL Supply Voltage - Volts
Fig. 13a. Low side turn-on and turn-off delay times vs. V CL .
200
V CH Supply Voltage - Volts
Fig. 13b. High side turn-on and turn-off delay times vs. V CH .
225
200
160
120
Max. t off
Max. t on
Typ. t on
175
150
Max. t off
Max. t on
Typ. t on
125
80
Typ. t off
100
Typ. t off
40
4
6
8
10
12
14
16
18
20
75
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DD Supply Voltage- Volts
Fig. 14a. Low side turn-on and turn-off delay times
vs. V DD supply voltage.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DD Supply Voltage - Voltage
Fig. 14b. High side turn-on and turn-off delay times vs. V DD .
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PDF描述
M7SSK-3710J D-SUB CABLE MFM37K/MC37G/MFM37K
395-056-527-802 CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK
RKZ-1212D/H CONV DC/DC 2W 12VIN +/-12VOUT
395-056-527-801 CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK
M7PSK-3710J D-SUB CABLE MMM37K/MC37G/MFM37K
相关代理商/技术参数
参数描述
IX6R11S3T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX6R11S6 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX6R11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube