参数资料
| 型号： | IXBOD1-40R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V |
| 标准包装： | 20 |
| 电压 - 箝位： | 4000V（4kV） |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 4 |
| 应用： | 高电压 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
Application
Protection of thyristors against overvoltages in forward
direction.
V BO (T VJ ) = V BO, 25 ° C [1+KT(T VJ - 25 ° C)]
i
Thyristor
BOD
V D
Calculation example
a. The maximum junction temperature shall be
calculated for a module IXBOD 1 -30R at an
ambient temperature T a = 60 °C, an exponentially
decaying current I TM = 40A, a pulsewidth tp = 2 μ s,
an operating frequency f = 50 Hz and natural
convection. From the diagram Fig. 6 the energy per
pulse is obtained:
E p1 = 6 x 10 -3 Ws
For a module IXBOD1-30R the number of single
IXBOD elements is:
n = 3
At natural air cooling the thermal resistance junction
to ambient amounts to (Fig.8):
R thJA = 20K/W
and the unknown temperature can be calculated as:
T VJmax1 = T a + n ? f ? E p ? R thJA + K p ? E p
T VJmax1 = 60 + 18 + 4.2 = 82.2°C
H-6
b. If following these steady-state conditions an
overload for 1 minute occurs with I TM = 60 A and a
pulse-width tp = 4 μ s at the same operating
frequency f = 50 Hz, then the resulting maximum
junction temperature is calculating as follows:
T VJmax2 = T VJmax1 + (E p2 -E p1 ) ? n ? f ?Z thJA (t) + Kp ? (E p2 -E p1 )
The diagrams Fig. 11 and Fig. 8 show
E p2 = 14x10 -3 Ws
Z thJA (t = 1min) = 12K/W
From what follows:
T VJmax2 = 82.2 + 14.4 + 5,6 = 102.2 °C
which is allowed because the maximum admissible
junction temperature T VJM = 125 °C.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXBT10N170 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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