参数资料
| 型号： | IXBOD1-40R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V |
| 标准包装： | 20 |
| 电压 - 箝位： | 4000V（4kV） |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 4 |
| 应用： | 高电压 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
Example of a circuit
A simple emergency triggering circuit.
T
R 1
D 1
D 3
D 4
: Thyristor
: Current limiting resistance (0 - 200 ? )
: Series-diode (fast recovery diode)
: Protection diode
: Zener diode, typical V Z : 3-6 V
R 1
D 1
IXBOD
z
T
R 3
R 2 , C 2 : Protection against parasitic triggering;
recommended values:
R 2 : 100 - 1000 ?
C 2 : 22 - 47 nF
R 2
D 4 D 3
C 2
C 3
R 3 , C 3 : Snubber network of the thyristor
Notice
1. A IXBOD element has a maximum reverse
blocking voltage of 10V.
40
A
I R 20
2. For higher reverse voltages a fast, soft recovery
diode must be connected in series (Fig. 9).
This diode must fulfill the conditions of Fig. 10.
10
8
6
4
I R
i
2
t B
t
Fast recovery
IXBOD single
1
0,1
μs
1
2 3 5 7 10
diode
or
IXBOD module
t B
Fig. 10 Maximum peak value of the
Fig. 9 IXBOD protection by a fast recovery
diode.
? 2000 IXYS All rights reserved
reverse current admissible for a given
pulse-width t B , which is required for the
suitable fast recovery series-diode.
H-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL8201IS-T7 | IC OP AMP 200MHZ R-R 8-SOIC |
| IXBOD1-38R | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V |
| IXBOD1-36R | IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V |
| AD8034ARTZ-REEL | IC OPAMP VF R-R DUAL LN SOT23-8 |
| EL8200IY-T7 | IC OP AMP 200MHZ R-R 10-MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXBOD1-42R | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 4200V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| IXBOD2-50R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes |
| IXBP5N160G | 功能描述:IGBT 晶体管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXBR42N170 | 功能描述:MOSFET 57Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXBT10N170 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。