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参数资料
| 型号： | IXDD408YI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263 |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 15/Jun/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 8A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVDD408-ND - EVALUATION BOARD FOR IXDD408 DVR |
IXDD408PI/408SI/408YI/408CI
Fig. 21
14
Enable Threshold vs. Supply Voltage
Fig. 22
3
High State Output Resistance
vs. Supply Voltage
12
10
2
8
6
4
2
1
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0
5
10
15
20
25
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 23
3.0
Low-State Output Resistance
vs. Supply Voltage
Fig. 24
0
Vcc vs. P Channel Output Current
C L =15nF
-2
-4
2.0
-6
-8
-10
1.0
-12
-14
0.0
8
10
15
20
25
-16
5
10
15
20
25
30
Supply Voltage (V)
Vcc
Fig. 25
10
8
6
4
2
0
Vcc vs. N Channel Output Current
C L =15nF
Figure 26 - Typical Application Short Circuit di/dt Limit
5
10
15
20
25
30
Vcc
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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