参数资料
型号: IXDD409SI
厂商: IXYS
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC
产品变化通告: Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装: 94
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 36ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
Typical Performance Characteristics
Fig. 3
40
Rise Times vs. Supply Voltage
Fig. 4
30
Fall Times vs. Supply Voltage
35
25
30
25
20
15
10
5
0
11900 pF
8900 pF
5860 pF
2950 pF
1500 pF
20
15
10
5
0
11900 pF
8900 pF
5860 pF
2950 pF
1500 pF
8
9
10
11
12 13 14 15
16
17
18
8
9
10
11
12 13 14 15
16
17
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 5
12
Rise And Fall Times vs. Temperature
CL=2500pF, Vcc=18V
Fig. 6
35
Rise Time vs. Load Capacitance
8V
10
8
6
4
2
Rise time
Fall time
30
25
20
15
10
10V
12V
14V
16V
18V
0
-40
-20
0
25 40
60
85
5
1.35
2.7
5.4
8.1
10.8
Temperature
Load Capacitance
Fig. 7
Fall Time vs. Load Capacitance
Fig. 8
Max / Min Input vs. Temperature
25
23
21
19
17
15
8V
10V
12V
14V
16V
18V
3.5
3 Maximum Input High
2.5
2
13
11
9
7
1.5
1
0.5
Minimum Input Low
5
1.35
2.7
5.4 8.1
Load Capacitance (nF)
10.8
0
-40
-20
0
25 40
Temperature
60
85
4
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PDF描述
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参数描述
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IXDD414CI 功能描述:功率驱动器IC 40V 14A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IXDD414YI 功能描述:功率驱动器IC 40V 14A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube