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参数资料
| 型号： | IXDD409SI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 15/Jun/2010 |
| 标准包装： | 94 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 36ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
Fig. 15
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Tondly (DD409, DN409)
Toffdly (DI409)
Toffdly(DD409, DN409)
Tondly (DI409)
Fig. 16
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
Propagation Delay vs. Input Voltage
Tondly (DD409, DN409)
Toffdly (DI409)
Toffdly (DD409, DN409)
Tondly (DI409)
8
9
10
11
12 13 14 15
16
17
18
3
4
5
6
7 8 9
10
11
12
Supply Voltage (V)
Input Voltage (V)
Fig. 17 Propagation Delay Times vs. Junction Temperature
45
40
Fig. 18
0.6
Quiescent Supply Current vs. Junction Temperature
Vcc=18v Vin=5v@1kHz
35
Tondly (DD409, DN409)
Toffdly (DI409)
0.5
30
25
Toffdly (DD409, DN409)
0.4
20
15
Tondly (DI409)
0.3
0.2
10
0.1
5
0
0
-40
-20
0
25 40
60
85
-40
-20
0 25 40
60
85
Temperature (C)
Temperature (C)
Fig. 19
Vcc vs. P Channel Peak Output Current
Fig. 20
Vcc vs. N Channel Peak Output Current
0
-2
-4
-6
-8
-10
CL = 10 nF
20
18
16
14
12
10
8
6
CL=10 nF
4
-12
2
-14
0
5
7.5
10
12.5
15 17.5
20
22.5
25
5
7.5
10
12.5
15 17.5
20
22.5
25
Vcc (V)
6
Vcc (V)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXDD414SI | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD414YI | 功能描述:功率驱动器IC 40V 14A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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