- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20502 > IXDD414YI (IXYS)IC MOSFET DRVR LS 14A SGL 5TO263 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXDD414YI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR LS 14A SGL 5TO263 |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 15/Jun/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVDD414-ND - EVALUATION BOARD FOR IXDD414 DVR |
IXDD414PI/414YI/414CI/414SI
Fig. 15
50
40
t OFFDLY
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C L =15nF V IN =5V@1kHz
Fig. 16
50
40
Propagation Delay vs. Input Voltage
C L =15nF V CC =15V
30
t ONDLY
30
t ONDLY
20
10
20
10
t OFFDLY
0
8
10
12
14
16
18
0
2
4
6
8
10
12
Supply Voltage (V)
Input Voltage (V)
Fig. 17
50
Propagation Delay vs. Case Temperature
C L = 2500pF, V CC = 18V
Fig. 18
0.60
Quiescent Supply Current vs. Case Temperature
V CC =18V V IN =5V@1kHz
45
40
35
30
25
t ONDLY
t OFFDLY
0.58
0.56
0.54
20
0.52
15
10
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.50
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (°C)
Temperature ( o C)
Fig. 19
16
P Channel Output Current vs. Case Temperature
V CC =18V C L =.1uF
Fig. 20 N Channel Output Current vs. Case Temperature
V CC =18V C L =.1uF
17
15
16
14
15
13
12
14
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-40
-20
0
20
40
60
80
100
Temperature ( o C)
6
Temperature ( o C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S332M33Z5UN6TJ5R | CAP CER 3300PF 1KV 20% RADIAL |
| AT25160A-10TU-2.7 | IC EEPROM 16KBIT 20MHZ 8TSSOP |
| LQH32CN561K23L | INDUCTOR 560UH 60MA 1210 |
| AT25160A-10TU-1.8 | IC EEPROM 16KBIT 20MHZ 8TSSOP |
| T95C107M016EZAL | CAP TANT 100UF 16V 20% 2812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDD415 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Dual 15 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD415SI | 功能描述:功率驱动器IC MOSFET Driver 30V 15A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD430 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
| IXDD430CI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD430MCI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。