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参数资料
| 型号： | IXDD604SI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2629 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CLA332 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_604
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
D2 (8- Pin DFN)
35
PI (8-Pin DIP)
SI (8- Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
SIA (8- Pin SOIC)
120
SI (8- Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
2 IXD_604 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
I N x
OUTx
V IL
90%
t offdly
t ondly
I N x
OUTx
V IL
90%
10%
t ondly
t offdly
10%
t f
t r
t r
t f
2.2 Characteristics Test Diagram
0.1 μ F
10 μ F
+
V CC
-
V CC
I N A
I N B
V CC
OUTA
OUTB
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
V I N
E N A
E N B
G N D
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
R05
www.ixysic.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0210490138 | CABLE JUMPER 1.25MM .203M 8POS |
| D8015L56 | RECTIFIER 800V 15A TO220 |
| HCC05DRTH-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| V375C36C75BF | CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W |
| IXDD609SI | IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDD604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD604SITR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD609CI | 功能描述:IC GATE DVR 9A DUAL HS TO220-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| IXDD609D2TR | 功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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