参数资料
型号: IXDD604SI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8SOIC
标准包装: 100
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 29ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 管件
产品目录页面: 2629 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: CLA332
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_604
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
1000
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
(V CC =35V)
400
350
300
250
200
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=2MHz
(V CC =18V)
400
350
300
250
200
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =12V)
10
1
150
100
50
0
150
100
50
0
100
1000
10000
100
1000
10000
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
350
300
250
200
150
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =8V)
1000
100
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
(V CC =35V)
1000
100
10
(V CC =18V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
100
50
0
10
1
1
0.1
100
1000
10000
1
10
100 1000
10000
1
10
100 1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Quiesent Supply Current
vs. Temperature
1000
100
(V CC =12V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
1000
100
(V CC =8V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
3.0
2.5
(V CC =18V)
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
2.0
10
10
1.5
1
0.1
0.01
1
0.1
0.01
1.0
0.5
0.0
V I N =0 V & 1 8V
1
10 100
1000
1
10
100 1000
10000
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.4
(V CC =18V, V IN =5V, f=1khz, C L =1nF)
-10
(C L =10nF)
10
(C L =10nF)
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 8
-6
-4
-2
0
8
6
4
2
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
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PDF描述
0210490138 CABLE JUMPER 1.25MM .203M 8POS
D8015L56 RECTIFIER 800V 15A TO220
HCC05DRTH-S734 CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
V375C36C75BF CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
IXDD609SI IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
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IXDD604SIATR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDD604SITR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IXDD609D2TR 功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube