参数资料
型号: IXDD630YI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO263
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 46ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 12.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263-5
包装: 管件
其它名称: CLA375
IXDD630YI-ND
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.6 Electrical Characteristics: T A = - 40°C to +125°C
Test Conditions: UVLO < V CC < 35V, T J <150°C.
IXD_630
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Conditions
UVLO < V CC < 18V
UVLO < V CC < 18V
V CC =18V, I OUT = -100mA
V CC =18V, I OUT =100mA
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
Symbol
V IH
V IL
R OH
R OL
t r
t f
t ondly
t offdly
Minimum
4
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.8
0.6
0.45
35
35
100
100
Units
V
?
ns
1.7 Thermal Characteristics
Package
IXD_630CI (5-Lead TO-220)
IXD_630YI (5-Lead TO-263)
IXD_630CI (5-Lead TO-220)
IXD_630YI (5-Lead TO-263)
R03
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
www.ixysic.com
Symbol
? JA
? JC
Rating
36
46
3
2
Units
°C/W
°C/W
5
相关PDF资料
PDF描述
IXDN630YI IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO263
V110C8C75B CONVERTER MOD DC/DC 8V 75W
GMM12DRXS CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
C8051F500DK KIT DEV FOR C8051F50X
22R154MC IND 150UH 0.64A DRUM 7.8X7.5 SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDE504D2 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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