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参数资料
| 型号： | IXDF404PI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 36ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 25 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
Fig. 17
100
Supply Current vs. Load Capacitance
Vcc = 35V
Fig. 18
1000
Supply Current vs. Frequency
Vcc = 35V
10000 pF
6800 pF
90
4700 pF
80
70
2 MHz
100
1800 pF
1000 pF
200 pF
60
50
40
1 MHz
500 kHz
10
1
100 kHz
30
20
10
0
50 kHz
10 kHz
0.1
0.01
100
1000
10000
1
10
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Frequency (kHz)
Fig. 19
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Fig. 20
Propagation Delay vs. Input Voltage
70
60
C L = 1800pF V in = 5V@1kHz
50
45
C L = 1800pF V cc = 15V
t ONDLY
50
40
40
t ONDLY
t OFFDLY
35
t OFFDLY
30
30
20
10
0
25
20
5
10
15
20
25
30
35
2
4
6
8
10
12
Supply Voltage (V)
Input Voltage (V)
Fig. 21 Propagation Delay Times vs. Temperature
C L = 1000pF, V cc = 18V
60
Fig. 22
0 .3
Q u ie s c e n t S u p p ly C u rre n t v s . T e m p e ra tu re
V c c = 1 8 V , V in = 5 V @ 1 k H z , C L = 1 0 0 0 p F
55
0 .2 5
50
0 .2
45
t ONDLY
40
t OFFDLY
0 .1 5
35
0 .1
30
0 .0 5
25
20
0
-60
-10
40
90
140
190
-6 0
-1 0
40 90
T e m p e ra tu re (C )
140
190
Temperature (C)
8
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDF404SI | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF404SI-16 | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF404SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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