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参数资料
| 型号： | IXDF604SI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2629 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CLA334 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
3 Block Diagrams & Truth Tables
3.1 IXDD604
3.3 IXDF604
IXD_604
V CC
IXDD604
IXDF604
V CC
200k Ω
V CC
I N A
OUTA
E N A
I N A
OUTA
G N D
V CC
V CC
200k Ω
V CC
I N B
OUTB
E N B
I N B
OUTB
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INA
0
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1
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0
1
0
1
EN X
1 or open
1 or open
0
0
OUT X
0
1
Z
Z
1
INB
0
1
0
OUTB
0
1
3.2 IXDI604
3.4 IXDN604
INA
IXDI604
V CC
OUTA
I N A
IXDN604
V CC
OUTA
G N D
V CC
G N D
V CC
6
I N B
IN X
0
1
OUT X
1
0
OUTB
www.ixysic.com
I N B
IN X
0
1
OUT X
0
1
OUTB
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBC07DRYS-S734 | CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD |
| IXDN604SI | IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC |
| V375C48C75B3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W |
| RBC05DREI-S734 | CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET |
| 0210490766 | CABLE JUMPER 1.25MM .030M 9POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDF604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SITR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDH20N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH20N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
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