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参数资料
| 型号： | IXDI630MCI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 46ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 9 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-5 |
| 供应商设备封装： | TO-220-5 |
| 包装： | 管件 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Output Source Current
Output Sink Current
IXD_630
-36
vs. Temperature
(V CC =18V, C LOAD =1 μ F)
36
vs. Temperature
(V CC =18V, C LOAD =1 μ F)
0.22
Hi g h-State Output Resistance
vs. Supply Volta g e
-34
34
0.20
-32
-30
32
0.1 8
0.16
R OH @ -100mA
30
-2 8
0.14
-26
-24
2 8
26
0.12
0.10
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
5
10
15 20 25
30
35
Temperature (oC)
Low-State Output Resistance
Temperature (oC)
Under Volta g e Lockout Threshold
Supply Volta g e (V)
Under-Volta g e Lockout Threshold
0.22
vs. Supply Volta g e
9.0
vs. Temperature - IXD_630M
13.0
vs. Temperature - IXD_630
0.20
V CC Rising
12.5
0.1 8
0.16
0.14
8 .5
8 .0
V CC Falling
12.0
11.5
11.0
V CC Rising
0.12
0.10
R OL @ +100mA
7.5
7.0
10.5
10.0
V CC Falling
5
10
15 20 25
30
35
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
R03
Supply Volta g e (V)
Temperature (oC)
www.ixysic.com
Temperature (oC)
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KB26KKW01-5F12-JF | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| 3252P-1-253LF | TRIMMER 25K OHM 0.75W TH |
| IXDD630MCI | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220 |
| KB26CKW01-5F12-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| IXDD630CI | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXDI630YI | 功能描述:功率驱动器IC MOSFET POWER DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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