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参数资料
| 型号： | IXDN430CI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 41ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 8.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-5 |
| 供应商设备封装： | TO-220-5 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVDN430CI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430CI |
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, temperature over -55 o C to +125 o C, 4.5 ≤ V CC ≤ 35V .
All voltage measurements with respect to GND. IXDD430 configured as described in Test Conditions .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V IH
V IL
High input voltage
Low input voltage
8.5 ≤ Vcc ≤ 18V
8.5 ≤ Vcc ≤ 18V
3.5
1.1
V
V
V IN
R OH
Input voltage range
Output resistance
V CC = 18V
-5
V CC + 0.3
0.46
V
?
@ Output high
R OL
Output resistance
V CC = 18V
0.4
?
@ Output Low
t R
t F
t ONDLY
Rise time
Fall time
On-time propagation
C L =5600pF Vcc=18V
C L =5600pF Vcc=18V
C L =5600pF Vcc=18V
20
18
58
ns
ns
ns
delay
t OFFDLY
Off-time propagation
C L =5600pF Vcc=18V
51
ns
delay
V CC
Power supply voltage
8.5
18
35
V
5-lead TO-220 Outline (IXD_430CI, IXD_430MCI) 5-lead TO-263 Outline (IXD_430YI, IXD_430MYI)
28-pin SOIC Outline (IXD_430SI)
NOTE: Mounting tabs, solder tabs, or heat sink metalization on all packages are connected to ground.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT27BV4096-12JU | IC OTP 4MBIT 120NS 44PLCC |
| 395-072-542-201 | CARD EDGE 72POS DL .100X.200 BLK |
| K2400SHRP | SIDAC 220-250VBO 1A H-ENRG DO214 |
| A7MFG-0910M | DSUB CABL-AMP09G/ AE10M / AFP09G |
| IXDN414PI | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN430MCI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN430MYI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN430YI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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