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参数资料
| 型号： | IXDN430CI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 41ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 8.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-5 |
| 供应商设备封装： | TO-220-5 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVDN430CI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430CI |
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Fig. 21 High State Output Resistance vs. Supply Voltage
0.35
Fig. 22
0.25
Low State Output Resistance vs. Supply Voltage
0.3
0.2
0.25
0.2
0.15
0.15
0.1
0.1
0.05
0.05
0
0
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 23
0
-10
P Channel Output Current vs. Vcc
Fig. 24
70
60
N Channel O utput Current vs. Vcc
-20
50
-30
40
-40
30
-50
-60
-70
-80
20
10
0
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
V cc (V)
Vcc (V)
Fig. 25 P Channel Output Current vs. Temperature
Fig. 26
N Channel Output Current vs. Temperature
40
35
Vcc = 18V
45
40
Vcc = 18V
35
30
30
25
25
20
20
15
10
5
15
10
5
0
0
-60
-10
40
90
140
190
-60
-10
40
90
140
190
Temperature (C)
9
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT27BV4096-12JU | IC OTP 4MBIT 120NS 44PLCC |
| 395-072-542-201 | CARD EDGE 72POS DL .100X.200 BLK |
| K2400SHRP | SIDAC 220-250VBO 1A H-ENRG DO214 |
| A7MFG-0910M | DSUB CABL-AMP09G/ AE10M / AFP09G |
| IXDN414PI | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN430MCI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN430MYI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN430YI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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