参数资料
型号: IXDN604SITR
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 4/13页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
标准包装: 2,000
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 29ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 带卷 (TR)
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.5 Electrical Characteristics: T A = 25°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V, one channel (unless otherwise noted).
IXD_604
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
High EN Input Voltage
Low EN Input Voltage
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
Disable to High Impedance State Delay Time
Enable Pull-Up Resistor
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
IXDD604 only
IXDD604 only
-
-
V CC =18V, I OUT =-10mA
V CC =18V, I OUT =10mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
IXDD604 only, V CC =18V
IXDD604 only, V CC =18V
-
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V ENH
V ENL
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
t ENOH
t DOLD
R EN
I CC
Minimum
3.0
-
-
2/3V CC
-
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
-
-
1.3
1.1
-
9
8
29
35
35
40
200
1
<1
<1
Maximum
-
0.8
±10
-
1/3V CC
-
0.025
2.5
2
±1
16
14
50
50
55
55
-
3
10
10
Units
V
? A
V
V
?
A
ns
k ?
mA
? A
1.6 Electrical Characteristics: -40°C < T A < +125°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V, one channel (unless otherwise noted).
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
Disable to High Impedance State Delay Time
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
-
-
V CC =18V, I OUT =-10mA
V CC =18V, I OUT =10mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
IXDD604 only, V CC =18V
IXDD604 only, V CC =18V
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
t ENOH
t DOLD
I CC
Minimum
3.1
-
-10
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.65
10
-
0.025
3
2.5
±1
16
14
65
65
65
65
3.5
150
150
Units
V
? A
V
?
A
ns
mA
? A
4
www.ixysic.com
R05
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PDF描述
R7001803XXUA RECTIFIER 1800V 300A
9B-28.63636MAAJ-B CRYSTAL 28.63636 MHZ 18PF HC49US
R7001204XXUA RECTIFIER 1200V 450A
EEC30DREH CONN EDGECARD 60POS .100 EYELET
IXDI604SITR IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
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IXDN609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件