参数资料
型号: IXDN604SITR
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
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文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
标准包装: 2,000
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 29ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 带卷 (TR)
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_604
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
D2 (8- Pin DFN)
35
PI (8-Pin DIP)
SI (8- Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
SIA (8- Pin SOIC)
120
SI (8- Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
2 IXD_604 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
I N x
OUTx
V IL
90%
t offdly
t ondly
I N x
OUTx
V IL
90%
10%
t ondly
t offdly
10%
t f
t r
t r
t f
2.2 Characteristics Test Diagram
0.1 μ F
10 μ F
+
V CC
-
V CC
I N A
I N B
V CC
OUTA
OUTB
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
V I N
E N A
E N B
G N D
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
R05
www.ixysic.com
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PDF描述
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IXDI604SITR IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
IXDN609PI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDN609SI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN609SIA 功能描述:功率驱动器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件