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参数资料
| 型号： | IXDN630CI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 46ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-5 |
| 供应商设备封装： | TO-220-5 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA374 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.6 Electrical Characteristics: T A = - 40°C to +125°C
Test Conditions: UVLO < V CC < 35V, T J <150°C.
IXD_630
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Conditions
UVLO < V CC < 18V
UVLO < V CC < 18V
V CC =18V, I OUT = -100mA
V CC =18V, I OUT =100mA
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
C LOAD =5.6nF, V CC =18V
Symbol
V IH
V IL
R OH
R OL
t r
t f
t ondly
t offdly
Minimum
4
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.8
0.6
0.45
35
35
100
100
Units
V
?
ns
1.7 Thermal Characteristics
Package
IXD_630CI (5-Lead TO-220)
IXD_630YI (5-Lead TO-263)
IXD_630CI (5-Lead TO-220)
IXD_630YI (5-Lead TO-263)
R03
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
www.ixysic.com
Symbol
? JA
? JC
Rating
36
46
3
2
Units
°C/W
°C/W
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN630MCI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MYI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630YI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN75N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDN75N120A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
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