参数资料
型号: IXDN630CI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 46ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 12.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-5
供应商设备封装: TO-220-5
包装: 管件
其它名称: CLA374
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_630
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
1000
(V CC =35V)
1000
(V CC =18V)
1000
(V CC =12V)
f=1MHz
f=500kHz
100
100
f=1MHz
f=500kHz
100
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
10
f=1MHz
10
10
1
5.0
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 22.5 25.0 27.5
1
5.0
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 22.5 25.0 27.5
1
5000
10000 15000 20000
25000
Load Capacitance (nF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Load Capacitance (nF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
1000
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =10V)
1000
100
C LOAD =25nF
C LOAD =10nF
C LOAD =5.6nF
(V CC =35V)
1000
100
C LOAD =25nF
C LOAD =10nF
C LOAD =5.6nF
(V CC =18V)
100
10
1
f=10kHz
10
1
0.1
0.01
10
1
0.1
0.01
5000
10000 15000 20000
25000
1
10 100
1000
1
10 100
1000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Frequency (kHz)
Supply Current vs. Frequency
Frequency (kHz)
Quiesent Supply Current
vs. Temperature
1000
100
10
C LOAD =25nF
C LOAD =10nF
C LOAD =5.6nF
(V CC =12V)
1000
100
10
C LOAD =25nF
C LOAD =10nF
C LOAD =5.6nF
(V CC =10V)
3.0
2.5
2.0
(V CC =18V)
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
V I N =0 V & 1 8V
1.5
1
1
1.0
0.1
0.01
0.1
0.01
0.5
0.0
1
10 100
1000
1
10 100
1000
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
Frequency (kHz)
Output Source Current
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Temperature
(V CC =18V, V IN =0-5V, f =1kHz, C LOAD =5.6nF)
1.4
1.2
1.0
-65
-60
-55
-50
vs. Supply Volta g e
(V IN =7V, C LOAD =1 μ F)
65
60
55
50
vs. Supply Volta g e
(V IN =7V, C LOAD =1 μ F)
-45
45
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
40
35
30
25
20
15
10
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
10
15
20 25
30
35
10
15
20 25
30
35
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R03
相关PDF资料
PDF描述
IXDS430SI IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC
IXS839S1T/R IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 8SOIC
JLINK-RX-AD ADAPT BD FOR MINI-JTAG CONNECTOR
JMBADGE2008-B BOARD JM BADGE
JP9902 CONN JACK MOD INSERT W/O HOLES
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN630MCI 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN630MYI 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN630YI 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN75N120 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDN75N120A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B