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参数资料
| 型号： | IXFA4N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
IXFA4N100P
IXFP4N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 4A
≤ 3.3 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-263 AA (IXFA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
1000
1000
± 20
± 30
4
8
V
V
V
V
A
A
S
TO-220AB (IXFP)
D (Tab)
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
4
200
A
mJ
G
DS
D (Tab)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
T C = 25 ° C
10
150
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
T stg
-55 ... +150
° C
Features
T L
T sold
F C
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 Seconds
Mounting Force (TO-263)
Mounting Torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
10.65 / 2.2..14.6
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
g
International Standard Packages
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
3.0
6.0
± 100
V
nA
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
10 μ A
750 μ A
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1
3.3
Ω
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99921A(7/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA4N100Q-TRL | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 |
| IXFA7N100P | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK |
| IXFB100N50P | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFA4N100Q-TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFA4N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA5N100P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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