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参数资料
| 型号： | IXFA4N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXFA4N100P
IXFP4N100P
5
Fig. 7. Input Admittance
5
Fig. 8. Transconductance
4.5
4
4.5
4
T J = - 40oC
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25oC
125oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
12
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
10
14
12
V DS = 500V
I D = 2A
I G = 10mA
8
10
6
4
2
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
0.1
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_4N100P(45-744)10-08-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA4N100Q-TRL | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 |
| IXFA7N100P | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK |
| IXFB100N50P | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFA4N100Q-TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFA4N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA5N100P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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