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参数资料
| 型号： | IXFA7N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2590pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXFA7N100P IXFA7N100P
IXFH7N100P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max
TO-247 Outline
g fs
R Gi
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
Gate Input Resistance
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 10 Ω (External)
3.6
6.0
1.8
2590
158
26
25
49
42
44
47
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
21
21
nC
nC
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
R thJC
0.42 ° C/W
R thCS
TO-220
TO-247
0.50
0.21
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max
I S
V GS = 0V, Note1
7
A
I SM
V SD
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
28
1.3
A
V
TO-220 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = 3.5A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V
0.4
4.0
300
ns
μ C
A
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
TO-263 Outline
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
4 = Drain
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065B1
6,683,344
6,727,585 7,005,734B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123B1
6,306,728B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692 7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFA7N60P3 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 600V 7A |
| IXFA7N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA8N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB 80N50Q2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin PLUS 264 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin PLUS 264 |
| IXFB100N50P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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