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参数资料
| 型号： | IXFB210N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 210A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 105A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFB210N20P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
200V
210A
10.5 m Ω
200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C (Chip Capability)
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
200
200
± 20
± 30
210
160
600
V
V
V
V
A
A
A
G
D
S
G = Gate
S = Source
Tab
D = Drain
Tab = Drain
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
105
4
20
1500
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
30..120/6.7..27
10
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
N/lb.
g
Features
Low Package Inductance
Avalanche Rated
High Current Handling Capability
Low R DS(ON) and Q G
Fast Intrinsic Diode
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
DC-DC Coverters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
200
2.5
4.5
± 200
25
2
V
V
nA
μ A
mA
Power Supplies
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
Uninterrupted Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
10.5
m Ω
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100018A(05/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
| IXFB38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 |
| IXFB40N110P | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 |
| IXFB44N100P | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| IXFB44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB300N10P | 功能描述:MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB30N120P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB30N120Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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