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参数资料
| 型号： | IXFB44N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 305nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFB44N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
44A
220 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
1000
1000
± 30
V
V
V
PLUS264 TM (IXFB)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
44
V
A
G
D
S
(TAB)
I DM
I AR
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
110
22
2
15
1250
A
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
T L
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
300
° C
T SOLD
F C
Weight
Plastic body for 10s
Mounting torque
260
30..120/6.7..27
10
° C
N/lb.
g
Advantages
Plus 264 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 1mA
1000
3.5
6.5
V
V
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor controls
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200 nA
Robotics and servo controls
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25, Note 1
220 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99867A(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| IXFB50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
| IXFB52N90P | MOSFET N-CH TO-264 |
| IXFB60N80P | MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 |
| IXFB62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB44N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB50N80Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB52N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB60N80P | 功能描述:MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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