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参数资料
| 型号： | IXFB44N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 305nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB44N100P
45
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
40
35
30
V GS = 10V
9V
80
70
60
V GS = 10V
9V
8V
25
20
50
40
15
30
8V
10
7V
20
5
0
10
0
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
5
10
15
20
25
30
45
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
vs. Junction Temperature
40
35
30
25
V GS = 10V
8V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
V GS = 10V
I D = 44A
20
15
10
5
0
7V
6V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 22A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
vs. Drain Current
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
45
40
35
30
1.8
25
1.6
20
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB44N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB50N80Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB52N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB60N80P | 功能描述:MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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