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参数资料
| 型号： | IXFB52N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-264 |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 308nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
IXFB52N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
900V
52A
160 m Ω
300 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
900
900
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
52
104
26
2
20
1250
A
A
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
Features
Fast Intrinsic Diode
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
° C
° C
° C
N/lb.
g
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
Plus 264 TM Package for Clip or Spring
Mounting
Space Savings
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Switched-Mode and Resonant-Mode
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
900
V
Power Supplies
DC-DC Converters
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
Laser Drivers
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200 nA
AC and DC Motor drives
Robotics and Servo Controls
I DSS
V DS = V DSS, V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
4 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25, Note 1
160 m Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100064A(02/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB60N80P | MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 |
| IXFB62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 |
| IXFB70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 |
| IXFB72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 |
| IXFB80N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB60N80P | 功能描述:MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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