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参数资料
| 型号： | IXFB70N60Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 265nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power
MOSFET Q2-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q G ,
Low Intrinsic R G
High dv/dt, Low t rr
IXFB70N60Q2
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
PLUS264 TM
600V
70A
88m Ω
250ns
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
Maximum Ratings
600
600
± 30
± 40
70
280
V
V
V
V
A
A
G
D
S
G = Gate
S = Source
Tab
D = Drain
Tab = Drain
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
70
5
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
N/lbs
g
Features
Double Metal Process for Low Gate
Resistance
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
PLUS 264 TM Package for Clip or Spring
Mounting
Space Savings
High Power Density
Applications
DC-DC Converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies, > 500kHz Switching
DC Choppers
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
600
V
Pulse Generation
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ±30 V, V DS = 0V
3.0
5.5
± 200
V
nA
Laser Drivers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125°C
50 μ A
3 mA
88 m Ω
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99006C(7/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 |
| IXFB80N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
| IXFB82N60P | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 |
| IXFB82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 |
| IXFC110N10P | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB80N50Q2_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFB82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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