- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录451 > IXFB80N50Q2 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFB80N50Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM IXFB80N50Q2
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , Low Intrinsic R G
High dV/dt, Low t rr
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
PLUS264 TM ( IXFB)
500V
80A
60m Ω
250ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
500
500
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I DRMS
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
External lead limited
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
80
75
320
V
V
A
A
A
G
D
G = Gate
S
( TAB )
D = Drain
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
80
60
5.0
A
mJ
J
S = Source
Features
TAB = Drain
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting force
20
960
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30...120/6.7...27
10
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
N / lbs
g
Double metal process for low gate
resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
DC choppers
Pulse generation
Laser drivers
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
PLUS 264 TM package for clip or spring
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0V
500
3.0
5.5
± 200
V
V
nA
mounting
Space savings
High power density
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
100 μ A
5 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
60 m Ω
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS98958F(07/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB82N60P | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 |
| IXFB82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 |
| IXFC110N10P | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 |
| IXFC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC14N60P | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB80N50Q2_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFB82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC10N80P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC110N10P | 功能描述:MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。