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参数资料
| 型号： | IXFC14N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 630 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFC14N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600V
8A
630m Ω
200ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS 220 TM
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
600
600
± 30
V
V
V
E153432
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
8
V
A
G
D
S
Isolated Tab
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
42
A
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
14
900
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
10
125
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
Features
UL recognized package
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting force
t = 1min
t = 1s
2500
3000
11..66 / 2.5..14.6
2
V~
V~
N/lb.
g
Avanlache rated
Fast intrinsic diode
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications:
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 2.5mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 7A, Note 1
T J = 125 ° C
600
3.0
V
5.5 V
± 100 nA
5 μ A
500 μ A
630 m Ω
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99409F(12/08 )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC15N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| IXFC16N50P | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 |
| IXFC22N60P | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC24N50 | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 |
| IXFC26N50P | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC14N80P | 功能描述:MOSFET 8 Amps 800V 0.77 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC15N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC16N50P | 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC16N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id9 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC20N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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