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参数资料
| 型号： | IXFC14N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 630 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXFC14N60P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS220 TM (IXFC) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 20V, I D = 7A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 7A
R G = 10 Ω (External)
7
13
2500
215
13
23
27
70
26
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 7A
36
16
12
nC
nC
nC
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
R thJC
1.00 ° C/W
R thCS
Source-Drain Diode
0.21
° C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
14
42
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
1.5
V
Ref: IXYS CO 0177 R0
t rr
Q RM
I RM
I F = 14A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
6.0
0.6
200 ns
nC
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC15N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| IXFC16N50P | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 |
| IXFC22N60P | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC24N50 | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 |
| IXFC26N50P | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC14N80P | 功能描述:MOSFET 8 Amps 800V 0.77 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC15N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC16N50P | 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC16N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id9 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC20N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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