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参数资料
| 型号： | IXFB82N60Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFET
Q3-Class
IXFB82N60Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600V
82A
75m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
600
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
600
± 30
± 40
V
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I DM
I A
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
82
240
82
4
50
A
A
A
J
V/ns
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
1560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
W
° C
° C
° C
°C
°C
N/lb.
g
Low Intrinsic Gate Resistance
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
DC-DC Converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600
V
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
3.5
6.5
V
Temperature and Lighting Controls
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200 nA
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
75 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100339(05/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC10N80P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC110N10P | 功能描述:MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC12N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 0.93 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC13N50 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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