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参数资料
| 型号： | IXFB82N60Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB82N60Q3
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
80
V GS = 10V
160
V GS = 10V
9V
70
60
8V
140
120
50
40
100
80
8V
30
20
7V
60
40
7V
10
0
6V
5V
20
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 41A Value vs.
Junction Temperature
80
70
V GS = 10V
8V
2.6
V GS = 10V
60
7V
2.2
I D = 82A
50
40
6V
1.8
1.4
I D = 41A
30
1.0
20
10
0
5V
4V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 41A Value vs.
Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
60
2.0
50
1.8
40
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFC13N50 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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