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参数资料
| 型号： | IXFB80N50Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB80N50Q2
140
120
Fig. 7. Input Adm ittance
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = -40oC
100
80
25oC
80
60
T J = 125oC
25oC
-40oC
60
125oC
40
40
20
0
20
0
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
240
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
200
160
120
80
8
7
6
5
4
3
I D = 40A
I G = 10mA
40
T J = 125oC
2
0
T J = 25oC
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
40
80
120
160
200
240
280
100000
10000
1000
100
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
0.001
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Im pedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V D S - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_80N50Q2(95)7-20-07-F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB82N60P | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 |
| IXFB82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 |
| IXFC110N10P | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 |
| IXFC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC14N60P | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB80N50Q2_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFB82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC10N80P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC110N10P | 功能描述:MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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