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参数资料
| 型号： | IXFB80N50Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB80N50Q2
80
Fig. 1. Output Characte ristics
@ 25 De g. C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
70
60
50
40
30
V GS = 10V
8V
7V
6V
180
160
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
60
20
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
3
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D = 40A
Value vs. Junction Tem perature
70
60
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
2.2
50
2
40
30
6V
1.8
1.6
1.4
I D = 80A
I D = 40A
1.2
20
10
0
5V
1
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
I D = 40A Value vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
80
External Lead Current Limit
70
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
60
50
40
30
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB82N60P | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 |
| IXFB82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 |
| IXFC110N10P | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 |
| IXFC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC14N60P | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB80N50Q2_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFB82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC10N80P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC110N10P | 功能描述:MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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