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参数资料
| 型号： | IXFB52N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-264 |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 308nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB52N90P
55
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
110
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
30
55
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 26A Value
vs. Junction Temperature
50
45
40
V GS = 10V
9V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
2.2
35
30
25
20
15
8V
7V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 52A
I D = 26A
1.0
10
0.8
5
0
6V
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 26A Value
vs. Drain Current
60
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB60N80P | MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 |
| IXFB62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 |
| IXFB70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 |
| IXFB72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 |
| IXFB80N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB60N80P | 功能描述:MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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