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参数资料
| 型号： | IXFB30N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 310nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 22500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFB30N120P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1200V
30A
350 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
1200
V
G
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
1200
± 30
± 40
30
75
15
V
V
V
A
A
A
D
S
G = Gate
S = Source
Tab
D = Drain
Tab = Drain
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque
2.0
15
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
J
V/ns
W
° C
° C
° C
°C
°C
N/lb.
g
Features
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Plus 264 TM Package for Clip or Spring
Mounting
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
High Voltage Switch-Mode and
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Resonant-Mode Power Supplies
High Voltage Pulse Power
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1200
V
High Voltage Discharge Circuits in
Laser Pulsers
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 300
V
nA
Spark Igniters, RF Generators
High Voltage DC-DC Coverters
High Voltage DC-AC Inverters
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
5.0 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
350 m Ω
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99825B(02/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 |
| IXFB40N110P | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 |
| IXFB44N100P | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
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| IXFB50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB30N120Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFB40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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