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参数资料
型号： IXFB30N120P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
标准包装： 25
系列： Polar™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 350 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 310nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 22500pF @ 25V
功率 - 最大： 1250W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： PLUS264?
包装： 管件
IXFB30N120P
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
0.200
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_30N120P(97)2-12-10-D
相关PDF资料
PDF描述
IXFB38N100Q2 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXFB40N110P MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
IXFB44N100P MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
IXFB44N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
IXFB50N80Q2 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFB30N120Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB38N100Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB38N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFB40N110P 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB44N100P 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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