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参数资料
| 型号： | IXFC13N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS220 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0; I T Notes 1, 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
7.5
9.0
2800
300
70
18
30
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS ,
I D = 0.5 ? I D25 , R G = 4.7 ? (External)
27
76
32
40
100
60
ns
ns
ns
Q g(on)
110 120
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
15
40
25
50
nC
nC
R thJC
R thCK
0.30
0.90
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Note 1
13
52
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.6
1.25
9
15
250
350
ns
ns
μ C
μ C
A
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T test current: I T = 6.5A
3. See IXFH13N50 data sheet for characteristic curves.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC14N60P | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 |
| IXFC15N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| IXFC16N50P | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 |
| IXFC22N60P | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC24N50 | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC14N80P | 功能描述:MOSFET 8 Amps 800V 0.77 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC15N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC16N50P | 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC16N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id9 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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