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参数资料
| 型号： | IXFC16N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 16N50P
26
24
22
20
Fig. 7. Transconductance
70
60
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
18
16
14
12
10
T J = - 40oC
25oC
125oC
50
40
30
8
6
4
2
0
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 250V
f = 1 MHz
8
7
I D = 8A
I G = 10mA
1,000
C iss
6
5
100
C oss
4
3
10
2
1
0
1
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
V DS - Volts
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
100
R DS(on) Limit
25μs
10.00
Resistance
10
1
0
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
100μs
1ms
10m
1.00
0.10
0.01
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
P ulse W idth - S econds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_16N50P (57-745) 11-30-05-A.XLS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC22N60P | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 |
| IXFC24N50 | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 |
| IXFC26N50P | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
| IXFC36N50P | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 |
| IXFC60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC16N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id9 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC20N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC22N60P | 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC24N50 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC26N50 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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