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参数资料
| 型号： | IXFC36N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Power MOSFET
PolarHV TM HiPerFET IXFC 36N50P
IXFR 36N50P
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
V DSS = 500
I D25 = 19
R DS(on) ≤ 190
t rr ≤ 200
V
A
m ?
ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS220 TM (IXFC)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
500
500
± 30
V
V
V
E153432
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
19
V
A
G
D
S
Isolated back surface
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
100
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
36
50
1.5
20
A
mJ
J
V/ns
ISOPLUS247 TM (IXFR)
E153432
P D
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
156
W
G
D
S
Isolated back surface
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Features
V ISOL
F C
Weight
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting Force (IXFC)
(IXFR)
(IXFC)
(IXFR)
2500
11..65 / 2.5..15
20..120 / 4.5..25
3
5
V~
N/lb
N/lb
g
g
l
l
l
International standard isolated
packages
UL recognized packages
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
l
l
- 2500V electrical isolation
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.5
5.0
V
l
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 125 ° C
25
250
190
μ A
μ A
m ?
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99312E(10/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 |
| IXFC74N20P | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 |
| IXFC80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC96N15P | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC40N30Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.088W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC52N30P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC52N30P_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET |
| IXFC60N20 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC74N20P | 功能描述:MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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