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参数资料
| 型号： | IXFC36N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 36N50P
IXFR 36N50P
36
Fig. 1. Output Char acte r is tics
@ 25 o C
80
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte r is tics
@ 25 o C
32
28
24
20
V GS = 10V
8V
7V
6V
70
60
50
V GS = 10V
8V
7V
6.5V
40
16
12
8
4
0
5.5V
5V
30
20
10
0
6V
5.5V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
36
V D S - V olts
Fig. 3. Output Char acte ris tics
@ 125 o C
3.1
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Nor m alize d to I D = 18A
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
32
28
24
20
16
12
8
4
0
V GS = 10V
7V
6V
5.5V
5V
4.5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 36A
I D = 18A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
T J - Degrees Centigrade
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . Cas e
3.4
3
I D = 18A V alue vs . Dr ain Cur r e nt
V GS = 10V
20
18
T e m p e r atu r e
16
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30 40 50
I D - A mperes
60
70
80
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 |
| IXFC74N20P | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 |
| IXFC80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC96N15P | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC40N30Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.088W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC52N30P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC52N30P_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET |
| IXFC60N20 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC74N20P | 功能描述:MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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