- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录451 > IXFC74N20P (IXYS)MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFC74N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 散装 |
PolarHT TM HiPerFET IXFC 74N20P
Power MOSFET
ISOPLUS220 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
=
≤
200
35
36
200
V
A
m Ω
ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode, Avalanche
Rated
ISOPLUS 220 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
200
200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
Isolated back surface*
I D25
T C = 25 ° C
35
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
200
60
40
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
F C
Weight
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, I ISOL ≤ 1 mA, t = 1 minute
Mounting Force
1.0
10
120
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
2500
11..65 / 2.5..15
3
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb
g
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<35pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
DC choppers
AC motor control
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
200
V
Advantages
Easy assembly: no screws, or isolation
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
2.5
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
foils required
Space savings
High power density
Low collector capacitance to ground
(low EMI)
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 37 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
36
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99243E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFC80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| IXFC96N15P | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 |
| IXFE180N10 | MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227 |
| IXFE180N20 | MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC80N08 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC80N085 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 85V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC80N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC96N15P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE180N10 | 功能描述:MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。