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参数资料
| 型号： | IXFE180N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 176A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFET
IXFE 180N10
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100 V
= 176 A
= 8 m ?
Single Die MOSFET
Preliminary data sheet
t rr ≤ 250 ns
Symbol Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
S
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
Terminal (current limit)
T C = 25 ° C; Note 1
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
100
100
± 20
± 30
176
100
720
180
60
3
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
G
S
D
G = Gate D = Drain
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
Mounting torque
t = 1 min
t=1s
2500 V~
3000 V~
1.5/13Nm/lb.in.
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Terminal connection torque
1.5/13Nm/lb.in.
Weight
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 3mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8mA
I GSS V GS = ± 20V, V GS = 0V
Min.
100
2
19 g
Characteristic Values
Typ. Max.
V
4 V
± 100 nA
Applications
? DC-DC converters
? Synchronous rectification
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10V, I D = I T
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100
2
8
μ A
mA
m ?
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
98902 (2/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE180N20 | MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 |
| IXFE23N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE180N20 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE23N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE34N100 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE36N100 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 1000V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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