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参数资料
| 型号： | IXFE180N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 158A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary Data Sheet
IXFE 180N20
G
S
D
S
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 200 V
= 158 A
= 12 m ?
< 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
I D25
I L(RMS)
T C = 25 ° C, Chip capability
Terminal current limit
158
100
A
A
D
S
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
720
100
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
64
4
5
500
mJ
J
V/ns
W
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Conforms to SOT-227B outline
T J
T JM
T stg
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
° C
V~
V~
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
19
g
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GH(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
4
± 200
100
2
V
V
nA
μ A
mA
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s,
duty cycle d ≤ 2 %
12 m ?
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99040(04/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE23N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 |
| IXFE39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 |
| IXFE44N50QD3 | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B |
| IXFE44N50Q | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B |
| IXFE44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE23N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE34N100 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE36N100 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 1000V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE39N90 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 900V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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