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参数资料
| 型号： | IXFE44N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
IXFE 44N60
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
=
600 V
41 A
130 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary data sheet
G
S
D
S
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
600
600
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
41
176
44
A
A
A
G = Gate
D
D = Drain
S
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
60
3
5
500
mJ
J
V/ns
W
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
T J
T JM
T stg
T J
V ISOL
M d
Weight
1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
- ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
19
g
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 3 mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
600 V
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
V GH(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
2.5
4.5
V
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Note1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
± 200 nA
100 μ A
2 mA
130 m ?
Advantages
? Low cost
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE55N50 | MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B |
| IXFE73N30Q | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B |
| IXFE80N50 | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B |
| IXFG55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
| IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE48N50Q | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE48N50QD2 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE48N50QD3 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE50N50 | 功能描述:MOSFET 47 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE55N50 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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