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参数资料
| 型号： | IXFE80N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 580W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
IXFE 80N50
D
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 72 A
= 55 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
G
Preliminary data sheet
S
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C, Chip capability
T C = 25 ° C, Note 1
72
320
A
A
D
S
I AR
T C = 25 ° C
80
A
G = Gate
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
64
6
5
580
-40 ... +150
150
-40 ... +150
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
Mounting torque
t = 1 min
t=1s
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
Weight
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 3 mA
19 g
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
500 V
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
2.5
4.5
V
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
± 200
100
2
55
nA
μ A
mA
m ?
Advantages
? Low cost
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98898B(01/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFG55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
| IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
| IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| IXFH10N100P | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD |
| IXFH10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFF24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFG55N50 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH 13N80 | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
| IXFH 15N100Q | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
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