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参数资料
| 型号： | IXFH100N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
I D25
PolarHT TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
IXFH 100N25P
V DSS = 250 V
= 100 A
R DS(on) ≤ 27 m Ω
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
250
250
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
100
V
V
A
G
D
S
(TAB)
I D(RMS)
External lead current limit
75
A
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
250
60
60
2.0
10
A
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
P D
T C = 25 ° C
600
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
Fast Intrinsic Diode
International standard packages
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
5.5
g
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
250
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
2.5
5.0
± 100
25
500
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
27
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99344E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| IXFH10N100P | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD |
| IXFH10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD |
| IXFH110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 |
| IXFH110N25T | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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