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参数资料
| 型号： | IXFH110N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchT2 TM HiperFET
Power MOSFET
IXFH110N15T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150V
= 110A
≤ 13m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
150
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
150
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
110
300
55
800
A
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
Weight
I S ≤ I DM ,, V DD ≤ V DSS ,T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
15
480
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
6
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
g
Features
International standard package
175°C Operating Temperature
High current handling capability
Fast intrinsic Rectifier
Dynamic dV/dt rated
Low R DS(on)
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
150
2.5
4.5
V
V
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
± 200 nA
25 μ A
power supplies
DC choppers
AC motor drives
V GS = 0V
T J = 150 ° C
500 μ A
Uninterruptible power supplies
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
13 m Ω
High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100094(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH110N25T | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
| IXFH11N80 | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
| IXFH120N25T | MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 |
| IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
| IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N80 | 功能描述:MOSFET 11 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH11N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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