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参数资料
| 型号： | IXFH110N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH110N15T2
20
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
20
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
19
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
19
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
18
17
V DS = 75V
18
V DS = 75V
T J = 125oC
16
I
D
= 110A
17
15
I
D
= 55A
16
T J = 25oC
14
13
12
15
14
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
280
90
28
80
240
200
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 75V
80
70
26
24
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 75V
70
60
160
I D = 110A
60
22
50
120
50
I D = 55A, 110A
80
40
I D = 55A
40
30
20
18
40
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
20
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
20
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
23
t f
t d(off) - - - -
80
120
t f
t d(off) - - - -
250
22
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
70
100
T J = 125oC, V GS = 10V
210
V DS = 75V
V DS = 75V
21
60
80
170
20
19
T J = 125oC
T J = 25oC
50
40
60
40
I D = 55A
130
90
I
D
= 110A
18
17
30
20
20
0
50
10
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH110N25T | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFH11N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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