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参数资料
| 型号： | IXFH12N100F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerRF™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 77nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerRF TM
Power MOSFETs
F-Class: MegaHertz Switching
IXFH12N100F
IXFT12N100F
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
1000V
12A
1.05 Ω
N-Channel Enhancement Mode
t rr
≤
250ns
Avalanche Rated, Low Q g , Low
Intrinsic R g , High dV/dt, Low t rr
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
1000
1000
± 20
± 30
12
48
V
V
V
V
A
A
TO-268 (IXFT)
TAB
I AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
12
1
A
J
G
S
TAB
dV/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt < 100A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 Ω
T C = 25 ° C
20
300
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
Features
RF capable MOSFETs
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
Plastic body for 10s
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
-55 ... +150
300
260
1.13/10
6
4
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Double metal process for low gate
resistance
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1000
V
DC choppers
13.5 MHz industrial applications
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
3.0
5.5
± 100
V
nA
Pulse generation
Laser drivers
RF amplifiers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
50 μ A
1.5 mA
1.05 Ω
Advantages
Space savings
High power density
? 2003 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS98856A(01/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
| IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N100F_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFETs |
| IXFH12N100P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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